硫化铅量子点PbSQDs功能化黑磷量子点BPQDs;PbSQDs-BPQDs
我们采用扫描隧道显微镜(SEM)对薄膜得表面和双层结构的横截面图进行表征，所得结果显示在图4-4中。图4-4(a)和(b)所示为PbSQDs和BPQDs薄膜的表面，我们可以清晰看到覆盖了-。层致密的材料，可以认为形成稳定的薄膜。图4-4(a)和(b)依次为旋涂BPQDs薄膜和PbSQDs薄膜的SEM表面，明显看到衬底上出现连续的材料覆盖，证实连续薄膜的存在。从图4-4(c)复合结构的横截面的SEM测试图可以看到明显的薄膜的存在，但是该薄膜应该在几十纳米级别，鉴于SEM所能分辨的小单位为nm，所以，无法清晰的观察到PbSQDs-BPQDs双层复合结构的薄膜出现明显的分层结构，但是，AFM已经证实形成完整BPQDs薄膜和PbSQDs薄膜是致密的而且连续的，所以，可以确定的说明PbSQDs和BPQDs形成了叠加的复合结构。
PbSQDs-BPQDs光电导型探测器的制备
通过湿法转移的方法将石墨烯转移到氧硅片。上。PbSQDs-BPQDs光电导型光电探测器是由石墨烯、BPQDs、PbSQDs组成的夹层结构。接下来，开始PbSQDs-BPQDs复合结构的制备。首先将已经制备好的石墨烯基底吸附在匀胶机。上，调整转速为rpm/10s，1rpm/30s，首先将浓度为0。1mg/mL的BPQDs滴涂在石墨烯沟道两侧，旋涂后迅速转移到真空干燥箱中70°C干燥min。然后调整转速为rpm/30s，将2mg/mL的PbSQDs溶液滴在BPQDs薄膜表面，完成旋涂后将基片转移到真空干燥箱中继续干燥两小时，完成双量子点增强型光电导探测器的制备。
其他量子点：
二硫化钼量子点改性石墨状碳氮烯
二硫化钼量子点修饰二氧化钛纳米管阵列
二硫化钼量子点修饰石墨烯氧化锌纳米管阵列
二茂铁衍生物修饰Ag-In-Zn-S量子点
二巯基辛酸修饰CdSe/ZnS量子点
二氧化硅改性铋基钙钛矿量子点
二氧化硅改性铋卤钙钛矿量子点
二氧化硅纳米球负载氧化钼量子点催化剂
二氧化钌量子点修饰五氧化二钒纳米材料
以上资料来自小编axc,.03.15
