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Mn掺杂CdS量子点
锰掺杂硫化镉量子点
MndopedCdSquantumdots
量子点（QD:半径约在1～10nm的半导体纳米晶）因其独特的物理化学性质，如量子尺寸效应、表面效应和介电限域效应等，在生物医药和光电子功能器件等领域具有诱人的应用前景。新研究表明，在量子点中掺入过渡金属离子能够有效地实现对其光学性能的调控和强化。
为此，首先采用成核掺杂的方式在MnS核上包覆CdS壳层制备结构为MnS/CdS的Mn掺杂CdS量子点;同时提出增加ZnS缓冲层来制备结构为MnS/ZnS/CdS的Mn掺杂CdS量子点,并研究缓冲层ZnS厚度对掺杂量子点光学性能的影响;对制备晶核MnS时配体种类对终Mn掺杂CdS纳米晶发光性能的影响进行了讨论。此外，通过进行表面配体交换，将量子点表面接上不同类型的有机分子。通过这些方法得到我们所期望的制备出高性能并适合不同需求性能的Mn掺杂CdS量子点。MnS/ZnS/CdS量子点的制备方法如图3-1所示，
其他量子点：
CdSe量子点修饰钛酸钠纳米管
碳量子点修饰二氧化硅SiO2
CDsPGMA-g-EDA聚合物修饰量子点(PGMA-g-EDA-QDs)水溶性
3-巯基丙酸(MPA)包覆碲化镉量子点(CdTeQDs)
碲化镉量子点CdTeQDs修饰金电极(CdTeQDs/AuE)
硼掺杂石墨烯量子点(B-GQDs)
碳量子点修饰石墨相氮化碳(CQDs/g-C3N4)
CdTe量子点修饰ZnO纳米棒/GaN发光二极管
石墨相氮化碳量子点修饰球形Bi2WO6
Z-型结构g-C3N4/Bi2WO6
C量子点修饰BiVO4钒酸铋纳米片
CoP量子点修饰g-C3N4石墨相氮化碳
以上资料来自小编axc,.03.18
