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二氧化钒会在相变发生后至少几个小时内“记住”相变。这使其有望成为微电子的下一次革命。
二氧化钒（VO）是一种能够表现出完全相反性质的材料。当加热到大约+68摄氏度的温度时，它会发生急剧的相变，从半导体变成导体，当冷却时，它会恢复到以前的状态。
新的实验表明，在这种情况下，这种材料保留了完美过渡到几小时甚至一整天的“记忆”。由于这种能力，他可以在微电子学的发展中开辟一个全新的方向——创造下一代计算机和内存芯片。洛桑联邦理工学院(EPFL)的科学家在《自然电子》杂志上发表的一篇文章中对此进行了阐述。
ElisonMatioli及其同事研究了二氧化钒在超短电流脉冲作用下的相变速率。它通过材料的运动引起加热和晶体结构的变化，导致相变到金属状态。精确的测量表明，这种材料“记住”了这种转变，并使其下次更容易。VO的“记忆”至少保留了三个小时。
科学家们还没有工具来测量更长时间的影响。但是，他们认为，原则上，可以在初始过渡后的几天内进行追踪。此外，Matioli和他的合著者认为，其他一些化合物可能具有相似的特性。
如果发现并掌握了这些材料，它们可以彻底改变微电子学。基于它们的设备可以用作计算芯片和存储元件的部件。与基于半导体的现代产品相比，它们将变得更便宜、更快、更具可扩展性。俄罗斯也在研究基于材料相变的类似装置。
